配资实盘网:配资实盘委托-芯片散热大消息！华为新布局 碳化硅散热技术曝光

　　碳化硅成为芯片散热新路线 。

　　日前 ，华为公布两项专利
，均涉及碳化硅散热，包括《导热组合物及其制备方法和应用》和《一种导热吸波组合物及其应用》 ，两项专利均用碳化硅做填料
，提高电子设备的导热能力
。其中，前者应用领域包括电子元器件的散热和封装芯片（基板、散热盖） ，后者应用领域包括电子元器件 、电路板。

（图片来源：国家知识产权局）

　　无独有偶
，此前有媒体爆料称，英伟达在其新一代Rubin处理器设计中 ，将CoWoS先进封装的中间基板材料从硅更换为碳化硅，以提升散热性能
，并预计2027年开始大规模采用 。

　　碳化硅导热能力强大

　　碳化硅材料具有优异的导热性能，仅次于金刚石
。公开资料显示 ，碳化硅热导率达500W/mK
，相比之下，硅的热导率仅为约150W/mK ，陶瓷基板热导率约200W/mK~230W/mK。此外
，碳化硅热膨胀系数与芯片材料高度契合，既能高效散热 ，又能保障封装稳定性 。

　　随着AI芯片功率持续提升
，散热难题摆在各大科技公司面前
。英伟达GPU芯片功率从H200的700W提高到B300的1400W，而CoWoS封装技术又将多个芯片（如处理器
、存储器等）高密度地堆叠集成在一个封装内 ，显著缩小了封装面积
，这对芯片封装散热提出更高要求。

　　中介层的散热能力成为AI芯片瓶颈，Rubin系列芯片中 ，集成HBM4的多芯片产品功率已经接近2000W 。

　　东方证券指出，中介层是CoWoS封装平台的核心部件之一
，目前主要由硅材料制作。随着英伟达GPU芯片的功率越来越大，将众多芯片集成到硅中介层将导致更高的散热性能要求 ，而如果采用导热率更好的碳化硅中介层
，其散热片尺寸有望大幅缩小，优化整体封装尺寸
。

　　数据显示 ，采用碳化硅中介层后
，可使GPU芯片的结温降低20℃~30℃，散热成本降低30% ，有效防止芯片因过热降频
，保证芯片的算力稳定输出。因此，碳化硅有望成为解决高功率芯片散热瓶颈的理想材料 。

　　碳化硅应用领域从电力电子扩展到封装散热 ，打开了市场增量空间
。东吴证券测算
，以当前英伟达H100 3倍光罩的2500mm²中介层为例，假设12英寸碳化硅晶圆可生产21个3倍光罩尺寸的中介层 ，2024年出货的160万张H100若未来替换成碳化硅中介层，则对应76190张衬底需求。

　　概念股大幅上涨

　　A股市场方面
，由于英伟达切入碳化硅散热领域，相关概念股9月以来大幅上涨 ，其中
，露笑科技、天岳先进9月以来涨幅均超过30%，晶盛机电 、天通股份涨幅均超过20% ，天富能源
、英唐智控涨幅均超10% 。

　　碳化硅散热成为市场热点
，近期多家公司在投资者互动平台就散热领域布局做出回应
。

　　天岳先进表示，公司在前瞻性技术创新上继续布局 ，除供应应用于功率器件、射频器件的碳化硅衬底材料外
，公司还广泛布局了光波导 、TF-SAW滤波器
、散热部件等新兴领域的碳化硅产品及技术。

　　三安光电表示，公司持续推进碳化硅衬底在AI/AR眼镜、热沉散热等方向的应用 ，热沉散热用碳化硅材料早已开始研发
，目前处于送样阶段 。

　　据证券时报·数据宝统计，今年以来 ，多只碳化硅概念股获得投资者频繁调研，其中晶盛机电 、时代电气、瑞纳智能获得6次调研
。

　　晶盛机电在近期的调研中表示
，公司已实现12英寸导电型碳化硅单晶生长技术突破，成功长出12英寸碳化硅晶体。

　　时代电气在9月调研中表示 ，当前公司已经拥有一条6英寸碳化硅芯片产线
，具备年产2.5万片6英寸碳化硅芯片产能 。

　　据数据宝统计，9月以来 ，多只碳化硅概念股获融资资金加仓
，通富微电
、露笑科技、天岳先进 、英唐智控
、天通股份5股获加仓金额均超过3亿元
。

　　通富微电加仓金额最高，达到7.01亿元 ，最新融资余额为26.34亿元。公司是国内芯片封测龙头之一
，2023年公司配合意法半导体等行业龙头，完成了碳化硅模块自动化产线的研发并实现了规模量产 。

　　露笑科技获加仓4.16亿元 ，最新融资余额为13.27亿元。公司碳化硅业务主要为6英寸导电型碳化硅衬底片的生产、销售
。